MÉTODO DE OBTENCIÓN DE COPOS METÁLICOS LIBRES DE SUSTRATO MEDIANTE UN PROCESO DE DEPOSICIÓN SIN ELECTRODOS ACTIVADO POR LUZ

Imagen de microscopía óptica obtenida a 10 aumentos de una superficie de n- GaAs 40 (111)B cubierta de copos de Bi tras ser iluminada durante 8 minutos en el electrolito de crecimiento.

Imagen de microscopía óptica de una superficie de n- GaAs 40 (111) cubierta de copos de Bi

RESUMEN

Método de obtención de copos metálicos libres de sustrato mediante proceso de electroless deposition activado por luz. La invención consiste en un método de fabricación de copos de metal libres de sustrato a partir de un primer proceso electroquímico y un posterior proceso químico. Durante el proceso electroquímico, la iluminación del sustrato semiconductor sumergido en una disolución de cationes metálicos da lugar a la reducción de dichos iones en átomos metálicos por electroless deposition sobre la superficie del semiconductor de forma discontinua, dando lugar a copos de espesor en el rango de nanómetros y un área de hasta varios milímetros cuadrados. El posterior proceso químico se emplea para atacar al semiconductor permitiendo así liberar los copos de metal del sustrato. El método permite obtener copos libres de sustrato de una forma rápida, reproducible, con un bajo coste y con un equipo fácilmente trasladable a la industria

SECTOR DE LA TÉCNICA

La presente invención se encuadra en el campo de la fabricación de nanomateriales; de forma más concreta, la invención se refiere a un proceso fotoelectroquímico basado en el crecimiento por electroless deposition, sobre un sustrato semiconductor, de un metal en forma de copos con un espesor controlado en el rango de los nanómetros, seguido de una liberación del sustrato para dar lugar a copos libres (conocidos en inglés como free-standing flakes). Estos copos metálicos tienen aplicación en la industria de los componentes electrónicos.

INVENTORES

Rocio Ranchal Sanchez

Alicia Prados Diaz

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