La presente invención se refiere a un método de obtención de estructuras de puerta de transistores MOSFET con la combinación de dos técnicas de depósito por plasma de materiales dieléctricos: Electron Cyclotron Resonance (ECR) y High Pressure Sputtering (HPS). El depósito de dieléctricos sobre Si con HPS no requiere, durante el proceso de fabricación, de gases con elementos metálicos, habitualmente utilizados cuando se recurre a técnicas convencionales, extremadamente tóxicos y contaminantes y que elevan enormemente los costos de procesado de residuos. Antes de depositar el dieléctrico, se protege el Si con la técnica ECR, con la que se obtiene por nitruración del Si, en atmósfera de N2, una capa muy fina de SiN (5A). Sobre esta capa se deposita con HPS una capa de Sc2O3 (5B) en atmósfera de Ar. Opcionalmente, encima de éste dieléctrico y también con HPS, se deposita el electrodo metálico (6) de TaN en atmósfera de Ar.