Esta invención propone aplicar la pulverización de alta presión de nanoláminas metálicas de escandio y un lantánido y su posterior oxidación por plasma temperatura ambiente sobre sustratos semiconductores III-V, de interés para dispositivos MOSFET, tanto planares como FinFETs. La ventaja de estos semiconductores es que tienen mayor movilidad de portadores en el canal que el Si, mayor transconductancia y menor retardo de conmutación con respecto a la tecnología actual.

Se obtienen estructuras MOS funcionales sobre semiconductores alternativos al Si con un óptimo recubrimiento de escalones. Solamente se necesitan tecnologías de vacío alto-medio y que tienen un menor impacto medioambiental que sus alternativas. Supone una simplificación del proceso de fabricación al no tener que realizarse ningún proceso de depuración-filtrado-limpieza de residuos muy dañinos para el medio ambiente y reducción de los tiempos de vacío previo al depósito.