MATERIAL HÍBRIDO ORGÁNICO-INORGÁNICO Y MÉTODO PARA PASIVACIÓN DE SUPERFICIE DE SILICIO

Material híbrido orgánico-inorgánico y método para pasivación de superficie de silicio

Nº Solicitud: P201600562 | Fecha solicitud: 11/07/2016

Enlace a la invención 

Invención de:

Miguel García Tecedor

Geraldo Cristian Vásquez Villanueva

María Taeño González

David Maestre Varea
Ana Isabel Cremades Rodríguez

Julio Ramírez Castellanos

Francisco Javier Piqueras de Noriega

José María González Calbet

Smagul Karazhanov

Halvard Haug

Chang y Chuan You

Erik S. Marstein

Titulares:

Universidad Complutense de Madrid

Institute for Energy Technology

Resumen

Un importante reto tecnológico es la pasivación de la superficie del silicio en dispositivos optoelectrónicos, como las células solares, sin añadir costes adicionales y empleando materiales abundantes. En la presente invención, se propone un método para fabricar un material híbrido compuesto con PEDOT:PSS y nanoestructuras de óxidos transparentes conductores, obteniendo la pasivación de la superficie de silicio mediante la utilización de una película compuesta delgada con un espesor menor de 200 nm.

Sector de la técnica

La invención se encuadra en el sector de dispositivos semiconductores y recubrimientos funcionales. De forma más concreta, se refiere a un método de fabricación de un material compuesto formado por un conductor orgánico y nanoestructuras semiconductoras 10 (nanopartículas y/o nanohilos) para su aplicación como capa de pasivación electrónica de superficie de silicio en células solares y otros dispositivos electrónicos.


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Cristina de la Fuente
comercia@ucm.es