DISPOSITIVO DE SILICIO PARA LA DETECCIÓN DE RADIACIÓN VISIBLE E INFRARROJA A TEMPERATURA AMBIENTE
Esquema de la estructura básica del dispositivo
RESUMEN
La presente invención se refiere a un dispositivo con tres capas: dos semiconductores, (1) y (2), y una capa intermedia (3) aislante que están basadas en silicio cristalino. La implantación de impurezas con una concentración que supera la solubilidad sólida de dicha impureza en silicio confiere al dispositivo la capacidad de detectar radiación infrarroja a temperatura ambiente. La invención también se refiere al método para fabricar el dispositivo de la invención, que incluye técnicas de fabricación fuera del equilibrio termodinámico.
SECTOR DE LA TÉCNICA
La presente invención se encuadra en el sector de los fotodetectores de infrarrojo, la microelectronica y la tecnología del silicio.
INVENTORES
Javier Olea Ariza
Germán González Díaz
Ignacio Mártil De La Plaza
David Pastor Pastor
Eric García Hemme
Rodrigo García Hernansanz
Álvaro Del Prado Millán
Pablo Fernández Sáez
Rosa Cimas Cuevas
Antonio Martí Vega
Antonio Luque López
TITULARES
Universidad Complutense de Madrid
Universidad Politécnica de Madrid