DISPOSITIVO DE SILICIO PARA LA DETECCIÓN DE RADIACIÓN VISIBLE E INFRARROJA A TEMPERATURA AMBIENTE

Dispositivo de silicio para la detección de radiación visible e infrarroja a temperatura ambiente

Nº Solicitud: P201400241 | Fecha solicitud: 27/03/2014

Enlace a la invención 

Invención de:

Javier Olea Ariza

Germán González Díaz

Ignacio Mártil De La Plaza

David Pastor Pastor

Eric García Hemme

Rodrigo García Hernansan

Álvaro Del Prado Millán

Pablo Fernández Sáez

Rosa Cimas Cuevas

Antonio Martí Vega

Antonio Luque López

Titulares:

Universidad Complutense de Madrid

Universidad Politécnica de Madrid

Resumen

La presente invención se refiere a un dispositivo con tres capas: dos semiconductores, (1) y (2), y una capa intermedia (3) aislante que están basadas en silicio cristalino. La implantación de impurezas con una concentración que supera la solubilidad sólida de dicha impureza en silicio confiere al dispositivo la capacidad de detectar radiación infrarroja a temperatura ambiente. La invención también se refiere al método para fabricar el dispositivo de la invención, que incluye técnicas de fabricación fuera del equilibrio termodinámico.

Esquema de la estructura básica del dispositivo
Esquema de la estructura básica del dispositivo.

Sector de la técnica

La presente invención se encuadra en el sector de los fotodetectores de infrarrojo, la microelectrónica y la tecnología del silicio.


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Cristina de la Fuente
comercia@ucm.es